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SI2304DDS-T1-GE3

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品番
SI2304DDS-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI2304DDS-T1-GE3.pdf
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$0.13405

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品番
SI2304DDS-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
60 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
6.7nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
235pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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