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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPI80N06S207AKSA1

IPI80N06S207AKSA1

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品番
IPI80N06S207AKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
IPI80N06S207AKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
部品ステータス
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
6.6 mOhm @ 68A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 180µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
110nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3400pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
250W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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