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MBR60030CTRL

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品番
MBR60030CTRL
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
MBR60030CTRL
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
部品ステータス
Obsolete
ダイオード構成
1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ
Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
30V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと)
300A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
580mV @ 300A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
3mA @ 30V
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ
Twin Tower

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