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IRFH5106TR2PBF

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品番
IRFH5106TR2PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRFH5106TR2PBF.pdf
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品番
IRFH5106TR2PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
21A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
5.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
75nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3090pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.6W (Ta), 114W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN

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