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DMN1033UCB4-7

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品番
DMN1033UCB4-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMN1033UCB4-7.pdf
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品番
DMN1033UCB4-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
-
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大)@ Id
-
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
37nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
パワー-最大
1.45W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
4-UFBGA, WLBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
U-WLB1818-4

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