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NVD5802NT4G-TB01

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品番
NVD5802NT4G-TB01
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 40V 101A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
NVD5802NT4G-TB01
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 40V 101A DPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
16.4A (Ta), 101A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
100nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
5300pF @ 12V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK (SINGLE GAUGE)
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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