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PHB11N06LT,118

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品番
PHB11N06LT,118
メーカー
NXP Semiconductors
説明
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
PHB11N06LT,118.pdf
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品番
PHB11N06LT,118
メーカー
NXP Semiconductors
説明
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
10.3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
130 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
5.2nC @ 5V
Vgs(最大)
±15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
330pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
33W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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