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GT60N321(Q)

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品番
GT60N321(Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
GT60N321(Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
部品ステータス
Obsolete
IGBTタイプ
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1000V
電流-コレクター(Ic)(最大)
60A
電流-パルスコレクター(Icm)
120A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.8V @ 15V, 60A
パワー-最大
170W
スイッチングエネルギー
-
入力方式
Standard
ゲートチャージ
-
Td(オン/オフ)@ 25°C
330ns/700ns
試験条件
-
逆回復時間(trr)
2.5µs
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-3PL
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P(LH)

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