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EPC2106

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品番
EPC2106
メーカー
EPC
説明
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
EPC2106.pdf
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品番
EPC2106
メーカー
EPC
説明
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
1.7A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 600µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
0.73nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
75pF @ 50V
パワー-最大
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die

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