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A2G35S200-01SR3

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品番
A2G35S200-01SR3
メーカー
NXP Semiconductors
説明
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
A2G35S200-01SR3.pdf
合計:$123.43584
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$123.43584

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品番
A2G35S200-01SR3
メーカー
NXP Semiconductors
説明
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
部品ステータス
Active
トランジスタータイプ
LDMOS
周波数
3.4GHz ~ 3.6GHz
利得
16.1dB
電圧-テスト
48V
定格電流
-
雑音指数
-
電流-テスト
291mA
電力出力
180W
電圧-定格
125V
パッケージ/ケース
NI-400S-2S
サプライヤーデバイスパッケージ
NI-400S-2S

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