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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPL60R360P6SATMA1

IPL60R360P6SATMA1

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品番
IPL60R360P6SATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPL60R360P6SATMA1.pdf
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$0.78207

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品番
IPL60R360P6SATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
11.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
360 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4.5V @ 370µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
22nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1010pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
89.3W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-ThinPak (5x6)
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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