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HGTG5N120BND

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品番
HGTG5N120BND
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 1200V 21A 167W TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
HGTG5N120BND.pdf
合計:$2.84000
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品番
HGTG5N120BND
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 1200V 21A 167W TO247
部品ステータス
Not For New Designs
IGBTタイプ
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1200V
電流-コレクター(Ic)(最大)
21A
電流-パルスコレクター(Icm)
40A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.7V @ 15V, 5A
パワー-最大
167W
スイッチングエネルギー
450µJ (on), 390µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
53nC
Td(オン/オフ)@ 25°C
22ns/160ns
試験条件
960V, 5A, 25 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
65ns
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247

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