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STP10N60M2

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品番
STP10N60M2
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 600V TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
STP10N60M2.pdf
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品番
STP10N60M2
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 600V TO-220
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
7.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
13.5nC @ 10V
Vgs(最大)
±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
400pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
85W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
パッケージ/ケース
TO-220-3

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