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GT10G131(TE12L,Q)

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品番
GT10G131(TE12L,Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
IGBT 400V 1W 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GT10G131(TE12L,Q).pdf
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品番
GT10G131(TE12L,Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
IGBT 400V 1W 8-SOIC
部品ステータス
Obsolete
IGBTタイプ
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
400V
電流-コレクター(Ic)(最大)
-
電流-パルスコレクター(Icm)
200A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.3V @ 4V, 200A
パワー-最大
1W
スイッチングエネルギー
-
入力方式
Standard
ゲートチャージ
-
Td(オン/オフ)@ 25°C
3.1µs/2µs
試験条件
-
逆回復時間(trr)
-
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP (5.5x6.0)

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