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BSM180D12P3C007

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品番
BSM180D12P3C007
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
SIC POWER MODULE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$525.71000
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1個
$525.71000

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品番
BSM180D12P3C007
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
SIC POWER MODULE
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
180A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大)@ Id
5.6V @ 50mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
-
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
900pF @ 10V
パワー-最大
880W
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module

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