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1N6484-E3/96

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品番
1N6484-E3/96
メーカー
Vishay
説明
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
1N6484-E3/96.pdf
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品番
1N6484-E3/96
メーカー
Vishay
説明
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
1000V
電流-平均整流(Io)
1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.1V @ 1A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
10µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F
8pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ
DO-213AB
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 175°C

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