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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル NTD6600N-001

NTD6600N-001

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品番
NTD6600N-001
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
NTD6600N-001
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
12A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
146 mOhm @ 6A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
20nC @ 5V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
700pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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