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RN1110MFV,L3F

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品番
RN1110MFV,L3F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
RN1110MFV,L3F.pdf
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品番
RN1110MFV,L3F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
部品ステータス
Active
トランジスタータイプ
NPN - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大)
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
50V
抵抗-ベース(R1)
4.7 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2)
-
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 500µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大)
100nA (ICBO)
頻度-遷移
-
パワー-最大
150mW
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ
VESM

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