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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル R6004ENX

R6004ENX

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品番
R6004ENX
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
R6004ENX.pdf
合計:$1.26000
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$1.26000

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品番
R6004ENX
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
980 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
15nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
250pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
40W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220FM
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack

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