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DMT6009LFG-13

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品番
DMT6009LFG-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMT6009LFG-13.pdf
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品番
DMT6009LFG-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11A (Ta), 34A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
33.5nC @ 10V
Vgs(最大)
±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1925pF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerDI3333-8
パッケージ/ケース
8-PowerWDFN

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