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1N4006-G

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品番
1N4006-G
メーカー
Comchip Technology
説明
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
1N4006-G.pdf
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品番
1N4006-G
メーカー
Comchip Technology
説明
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
800V
電流-平均整流(Io)
1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.1V @ 1A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ
DO-41
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C

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