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FF200R12KT4HOSA1

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品番
FF200R12KT4HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT MODULE 1200V 200A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FF200R12KT4HOSA1.pdf
合計:$105.85000
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$105.85000

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品番
FF200R12KT4HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT MODULE 1200V 200A
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
Trench Field Stop
構成
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1200V
電流-コレクター(Ic)(最大)
320A
パワー-最大
1100W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.15V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大)
5mA
入力容量(Cies)@ Vce
14nF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
No
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module

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