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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル PSMN4R3-100ES,127

PSMN4R3-100ES,127

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品番
PSMN4R3-100ES,127
メーカー
Nexperia
説明
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
PSMN4R3-100ES,127.pdf
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$3.51000

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品番
PSMN4R3-100ES,127
メーカー
Nexperia
説明
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
4.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
170nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
9900pF @ 50V
FET機能
-
消費電力（最大）
338W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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