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SIA533EDJ-T1-GE3

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品番
SIA533EDJ-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIA533EDJ-T1-GE3.pdf
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品番
SIA533EDJ-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
部品ステータス
Active
FETタイプ
N and P-Channel
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
4.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
420pF @ 6V
パワー-最大
7.8W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SC-70-6 Dual

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