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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ IRLHS6376TR2PBF

IRLHS6376TR2PBF

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品番
IRLHS6376TR2PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRLHS6376TR2PBF.pdf
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品番
IRLHS6376TR2PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
3.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1.1V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
2.8nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
270pF @ 25V
パワー-最大
1.5W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
6-PQFN (2x2)

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