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TPS1101DRG4

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品番
TPS1101DRG4
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
TPS1101DRG4.pdf
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品番
TPS1101DRG4
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
15V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.7V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
11.25nC @ 10V
Vgs(最大)
+2V, -15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
FET機能
-
消費電力(最大)
791mW (Ta)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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