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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXKP10N60C5

IXKP10N60C5

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品番
IXKP10N60C5
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXKP10N60C5.pdf
合計:$2.47500
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$2.47500

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品番
IXKP10N60C5
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
385 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 340µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
22nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
790pF @ 100V
FET機能
Super Junction
消費電力（最大）
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3

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