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SI4888DY-T1-E3

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品番
SI4888DY-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI4888DY-T1-E3.pdf
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品番
SI4888DY-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
24nC @ 5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
FET機能
-
消費電力(最大)
1.6W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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