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SPI11N60C3HKSA1

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品番
SPI11N60C3HKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SPI11N60C3HKSA1.pdf
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品番
SPI11N60C3HKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.9V @ 500µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
60nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1200pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
125W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3-1
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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