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W979H6KBVX2E TR

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品番
W979H6KBVX2E TR
メーカー
Winbond Electronics
説明
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
W979H6KBVX2E TR.pdf
合計:$3.51101
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$3.51101

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品番
W979H6KBVX2E TR
メーカー
Winbond Electronics
説明
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
部品ステータス
Active
メモリタイプ
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPDDR2
メモリー容量
512Mb (32M x 16)
クロック周波数
400MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ
15ns
アクセス時間
-
メモリインターフェース
Parallel
電圧-供給
1.14V ~ 1.95V
動作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
134-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
134-VFBGA (10x11.5)

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