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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

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品番
IPB160N04S4H1ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB160N04S4H1ATMA1.pdf
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品番
IPB160N04S4H1ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
160A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 110µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
137nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
10920pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
167W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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