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GSID100A120T2C1

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品番
GSID100A120T2C1
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
SILICON IGBT MODULES
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GSID100A120T2C1.pdf
合計:$122.65667
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$122.65667

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品番
GSID100A120T2C1
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
SILICON IGBT MODULES
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
-
構成
Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1200V
電流-コレクター(Ic)(最大)
200A
パワー-最大
640W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.1V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ(最大)
1mA
入力容量(Cies)@ Vce
13.7nF @ 25V
入力
Three Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ
Yes
動作温度
-40°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module

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