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DGD2103S8-13

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品番
DGD2103S8-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DGD2103S8-13.pdf
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品番
DGD2103S8-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
部品ステータス
Obsolete
駆動構成
Half-Bridge
チャンネルタイプ
Independent
ドライバー数
2
門型
IGBT, N-Channel MOSFET
電圧-供給
10V ~ 20V
ロジック電圧-VIL、VIH
0.8V, 2.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク)
290mA, 600mA
入力方式
Inverting, Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ)
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)
100ns, 35ns
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO

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