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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IRFD024

IRFD024

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品番
IRFD024
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRFD024.pdf
合計:$1.91653
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品番
IRFD024
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
2.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
100 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
25nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
640pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
1.3W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース
4-DIP (0.300", 7.62mm)

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