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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル NX7002BKMBYL

NX7002BKMBYL

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品番
NX7002BKMBYL
メーカー
Nexperia
説明
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
NX7002BKMBYL.pdf
合計:$0.05512
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$0.05512

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品番
NX7002BKMBYL
メーカー
Nexperia
説明
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
350mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
1nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
23.6pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN1006B-3
パッケージ/ケース
3-XFDFN

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