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IXTN30N100L

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品番
IXTN30N100L
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTN30N100L.pdf
合計:$54.43000
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$54.43000

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品番
IXTN30N100L
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
450 mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id
5.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
545nC @ 20V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
13700pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
800W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227B
パッケージ/ケース
SOT-227-4, miniBLOC

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