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GSID200A120S3B1

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品番
GSID200A120S3B1
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
SILICON IGBT MODULES
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GSID200A120S3B1.pdf
合計:$93.42500
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$93.42500

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品番
GSID200A120S3B1
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
SILICON IGBT MODULES
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
-
構成
2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1200V
電流-コレクター(Ic)(最大)
400A
パワー-最大
1595W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大)
1mA
入力容量(Cies)@ Vce
20nF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
No
動作温度
-40°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
D-3 Module
サプライヤーデバイスパッケージ
D3

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