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IRL6372TRPBF

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品番
IRL6372TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRL6372TRPBF.pdf
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品番
IRL6372TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
8.1A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.1V @ 10µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
11nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1020pF @ 25V
パワー-最大
2W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO

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