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SI2314EDS-T1-GE3

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品番
SI2314EDS-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI2314EDS-T1-GE3.pdf
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品番
SI2314EDS-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
3.77A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
14nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
FET機能
-
消費電力(最大)
750mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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