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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル APT26F120B2

APT26F120B2

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品番
APT26F120B2
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$22.85400
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$22.85400

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品番
APT26F120B2
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
27A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
650 mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
300nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
9670pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
1135W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
T-MAX™
パッケージ/ケース
TO-247-3 Variant

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