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SI7997DP-T1-GE3

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品番
SI7997DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI7997DP-T1-GE3.pdf
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品番
SI7997DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
60A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
160nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
6200pF @ 15V
パワー-最大
46W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual

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