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IX2120B

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品番
IX2120B
メーカー
IXYS Integrated Circuits Division
説明
1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IX2120B.pdf
合計:$2.85000
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$2.85000

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品番
IX2120B
メーカー
IXYS Integrated Circuits Division
説明
1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI
部品ステータス
Active
駆動構成
Half-Bridge
チャンネルタイプ
Independent
ドライバー数
2
門型
IGBT, N-Channel MOSFET
電圧-供給
15V ~ 20V
ロジック電圧-VIL、VIH
6V, 9.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク)
2A, 2A
入力方式
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ)
1200V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)
9.4ns, 9.7ns
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
28-SOIC

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