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IRF1902GTRPBF

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品番
IRF1902GTRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
IRF1902GTRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
4.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
700mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)
-
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
310pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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