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ZXMHC10A07N8TC

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品番
ZXMHC10A07N8TC
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
ZXMHC10A07N8TC.pdf
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品番
ZXMHC10A07N8TC
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
800mA, 680mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs
700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
2.9nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
138pF @ 60V
パワー-最大
870mW
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP

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