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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル NTLGF3501NT2G

NTLGF3501NT2G

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品番
NTLGF3501NT2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
NTLGF3501NT2G.pdf
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品番
NTLGF3501NT2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
2.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
10nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
275pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
1.14W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
6-DFN (3x3)
パッケージ/ケース
6-VDFN Exposed Pad

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