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DDB6U85N16LHOSA1

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品番
DDB6U85N16LHOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT MODULE 1600V 60A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DDB6U85N16LHOSA1.pdf
合計:$109.04000
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$109.04000

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品番
DDB6U85N16LHOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT MODULE 1600V 60A
部品ステータス
Active
ダイオード構成
3 Independent
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
1600V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと)
60A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.44V @ 100A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
5mA @ 1600V
動作温度-ジャンクション
150°C (Max)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
AG-ISOPACK-1

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