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SI2337DS-T1-E3

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品番
SI2337DS-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI2337DS-T1-E3.pdf
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品番
SI2337DS-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
270 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
17nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
500pF @ 40V
FET機能
-
消費電力(最大)
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
動作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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