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2SK1119(F)

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品番
2SK1119(F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
2SK1119(F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
3.8 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
60nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
700pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
100W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3

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