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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

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品番
SIA429DJT-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIA429DJT-T1-GE3.pdf
合計:$0.24368
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$0.24368

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品番
SIA429DJT-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
20.5 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
62nC @ 8V
Vgs（最大）
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1750pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース
PowerPAK® SC-70-6

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