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IDDD04G65C6XTMA1

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品番
IDDD04G65C6XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
SIC DIODES
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IDDD04G65C6XTMA1.pdf
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$1.10823

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品番
IDDD04G65C6XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
SIC DIODES
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
650V
電流-平均整流(Io)
13A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
-
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr)
0ns
電流-Vrでの逆漏れ
14µA @ 420V
静電容量@ Vr、F
205pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
10-PowerSOP Module
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-HDSOP-10-1
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 175°C

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